弗勞恩霍夫研究所成功在GaN芯片集成多個元件 為研發緊湊型車載充電器奠定基礎

德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)的研究人員成功將電流傳感器、溫度傳感器以及功率晶體管、續流二極管以及柵極驅動器都集成到了基于GaN的半導體芯片上，從而顯著地提升了用于電壓轉換器的氮化鎵功率集成電路(GaN power IC，即芯片)的功能。此次研究進展將為研發更緊湊、更高效的電動汽車車載充電器鋪平道路。

如果電動汽車想要在社會上長期立足，就需要擁有更加靈活的充電選擇。為了盡可能使用交流電充電樁、壁掛式充電樁或傳統的插頭插座充電樁，用戶就需要依賴車載充電器。由于此類技術是汽車自帶的，因而必須盡可能地小且輕，同時成本效益要高。因此，此類充電器就需要電壓轉換器等非常緊湊而高效的電力電子系統。

單個芯片上集成多個元件

多年來，弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)都致力于研究電力電子領域的單片集成技術，即需要將功率元件、控制電路和傳感器組合在單個半導體芯片上，該概念利用了半導體材料氮化鎵(gallium nitride，GaN)。早在2014年，弗勞恩霍夫應用固體物理研究所的研究人員就成功在一個600V的功率晶體管上集成了續流二極管和柵極驅動器。2017年，一個單片GaN半電橋首次以400V電壓運行。

弗勞恩霍夫應用固體物理研究所的最新研究成果是，首次成功將電流和溫度傳感器、600V功率晶體管、續流二極管和柵極驅動器都集成至一個GaN功率集成電路上。作為GaNIAL研究項目的一部分，研究人員對GaN功率集成電路的全部功能進行了功能驗證，實現了電力電子系統集成技術的突破。

與傳統的電壓轉換器相比，新研發的電路不僅具有更高的開關頻率以及更高的功率密度，還能快速而準確地對芯片本身進行監測。弗勞恩霍夫應用固體物理研究所電力電子業務部研究員Stefan M?nch強調表示：“雖然基于GaN的功率電子產品的開關頻率增加可使得設計變得越來越緊湊，但是，同時也對監測和控制自己本身提出了更高的要求。”

以前，電流和溫度傳感器都在GaN芯片外部進行工作，現在集成了電流傳感器就可以對晶體管電流進行無反饋測量，實現閉環控制和短路保護功能，此外，與傳統的外部電流傳感器相比，節省了芯片的空間。而集成了溫度傳感器就可以直接測量功率晶體管的溫度，由于單片集成電路消除了傳感器與測量點之間因距離產生的溫度差，因而，與以前的外部傳感器相比，集成了溫度傳感器就可以更快、更準確地反映出熱臨界點。

為GaN芯片設計和集成電路的M?nch表示：“將GaN芯片與傳感器和控制電路整體集成可節省芯片表面的空間，降低裝配成本，提高可靠性。對于需要在有限空間內安裝大量非常小而高效的系統的應用來說，這點至關重要。”該GaN芯片尺寸大小僅為4×3 mm2，為進一步研發更加緊湊的車載充電器奠定了基礎。